Διπολικά Τρανζίστορ ή FET?

[acoustics]

Έχω παρατηρήσει, ότι ορισμένοι λάτρεις των λυχνιών βλέπουν με μεγαλύτερη συμπάθεια τα διπολικά τρανζίστορ από τα FET.

Αν θελήσουμε να συγκρίνουμε μεταξύ τους τις δύο αυτές κατηγορίες ημιαγωγών, τι θα μπορούσαμε να πούμε? Σχολιάστε τα παρακάτω:

Tα FET απαιτούν για την οδήγησή τους σήμα τάσης (όπως οι λυχνίες) και όχι σήμα ρεύματος, όπως τα διπολικά transistors.

Τα FET εισάγουν το χαμηλότερο θόρυβο. Ιδιαίτερα τα MOSFET που έχουν πολύ μικρό ρεύμα πύλης.

Τα FET έχουν μεγαλύτερη ταχύτητα απόκρισης.

Τα FET έχουν υψηλότερη γραμμικότητα λειτουργίας.

Τα FET παρουσιάζουν μεγαλύτερη μακροζωία από τα τρανζίστορ.
.
..
...
.....


Αποτελούν από πολλούς την προτιμότερη επιλογή, όταν η χρήση λυχνιών δεν είναι επιθυμητή.

 

[acoustics]

Τα FETs ισχύος παρουσιάζουν σχετικά μικρότερο κέρδος τάσης, αλλά μεγαλύτερο γινόμενο εύρους ζώνης συχνοτήτων επί απολαβή GBP (Gain Bandwidth Product ή open loop bandwidth). Eπιδέχονται μεγαλύτερα ποσά αρνητικής ανάδρασης, χωρίς να κινδυνεύουν να μεταπέσουν σε ταλαντώσεις.

Σε εφαρμογές υψηλής ισχύος και τάσης δεν παρουσιάζουν θερμική αστάθεια και κίνδυνο διάσπασης όπως τα διπολικά transistors. Γενικά, επηρεάζονται λιγότερο από τις θερμοκρασιακές μεταβολές (θερμαίνονται λιγότερο και είναι περισσότερο αξιόπιστα).

Eμφανίζουν ικανότητα αυτοπροστασίας, αφού η αντίσταση εξόδου αυξάνεται με την αύξηση της θερμοκρασίας. Αυτό, επιτρέπει τον ευκολότερο παραλληλισμό τους σε στάδια ενίσχυσης ισχύος.


Tα διπολικά τρανζίστορ:

Διαθέτουν δυνατότητα παροχής υψηλών ρευμάτων στο φορτίο. Επιτρέπουν την εύκολη σχετικά οδήγηση χαμηλών φορτίων (ακόμη και κάτω από 1 Ω), όπως πχ τα δύσκολα ηλεκτροστατικά ηχεία στις υψηλές συχνότητες.

Είναι ευαίσθητα στις θερμοκρασιακές μεταβολές. Παρουσιάζουν το ενοχλητικό φαινόμενο όσο θερμαίνονται να άγουν ακόμη περισσότερο ρεύμα. Απαιτούν ειδικά κυκλώματα θερμοκρασιακής αντιστάθμισης, ενώ σε ορισμένες περιπτώσεις ακόμη και ειδικούς θερμοκρασιακούς αισθητήρες πάνω στις μεταλλικές ψύκτρες (heatsinks) των transistors ισχύος εξόδου.

 

[acoustics]

Γενικά, τα FET χειρίζονται λιγότερο ρεύμα από τα BJT, αν και υπάρχουν ορισμένα που χειρίζονται εξαιρετικά μεγάλα ρεύματα. Επίσης, τα μοντέρνα FET παρουσιάζουν λιγότερες απώλειες αγωγιμότητας (διαθέτουν χαμηλές τιμές εσωτερικής αντίστασης rDS). Υπάρχουν MOSFET με εσωτερική αντίσταση 10 mΩ.

Ορισμένα FET δεν άγουν πλήρως μέχρι τα 4-6 V (vGS), γεγονός το οποίο δεν ισχύει για κάποιους πιο μοντέρνους τύπους. Τυπικά, τα BJT δεν άγουν μέχρι τα 0.3 V (τάση βάσης).